معرفی حافظه‌

 NAND & NOR

دو نوع حافظه‌ی فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌  NAND ,  NOR  نام گذاری شده‌اند

سلول‌های مستقل حافظه‌ی فلش مشخصات درونی‌ مشابهی با دروازه‌ی مربوطه را نشان می‌دهند ، درحالیکه

EPROM ها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند‌ .

 

 

فلش‌های نوع NAND می‌توانند هم زمان در بلوک هایی که معمولا از کل دستگاه کوچکترند خواند و نوشته شوند .

فلش‌های NOR به یک کلمه‌ی ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خوانده شوند.

نوع NAND به صورت عمده در کارت‌ حافظه ی  فلش‌های یو اس‌ بی و درایو های جامد و محصولات مشابه برای ذخیره سازی و انتقال داده استفاده می‌شود .

 

 

فلش های NAND,  NOR معمولا برای ذخیره پیکربندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌شوند .

 

 

مسئولیتی که در گذشته به وسیله EPROM ها یا حافظه‌ی استاتیک باتری‌دار ممکن می‌شد ، یکی‌ از معایب حافظه‌ی فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.

 

فلش NOR  

هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیما به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیما به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می‌کند.

وقتی‌ یکی‌ از خطوط کلمه‌ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوطه عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را Low کند.

 

فلش NAND 

فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آنها به صورتی‌ به هم متصل‌اند که گیت NAND را شبیه سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستور‌ها به صورت سری متصل‌اند و خط بیت تنها در صورتی‌ Low می‌شود که تمامی‌ خطوط کلمه‌ها High شده باشند ، سپس این گروه‌ها به وسیله‌ی تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستور‌ های تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.